: 电力MOSFET在导通时，只有一种极性的载流子参与导电 ,目前电力MOSFET大都采用了垂直导电结构 以下关于IGBT说法正确的是（ ）。 A:相比于电力MOSFET，IGBT的耐高压能力更优 B:IGBT的输入阻抗高，输入特性与电力MOSFET类似 C:相比于电力MOSFET，IGBT的关断时间更短 D:IGBT可看作是门极可关断器件和电力MOSFET的复合器件